Datasheet Texas Instruments INA111BUE4 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | INA111 |
| Модель | INA111BUE4 |
Высокоскоростной инструментальный усилитель с входом на полевых транзисторах 16-SOIC
Datasheets
High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier datasheet
PDF, 752 Кб, Файл опубликован: 27 сен 2000
Выписка из документа
Цены
 Купить INA111BUE4 на РадиоЛоцман.Цены — от 414 до 1 712 ₽12 предложений от 12 поставщиков Микросхема Усилитель прибора, IC OPAMP INSTR 2MHz 16SOIC | |||
| INA111BUE4 Texas Instruments | 843 ₽ | ||
| INA111BUE4 Texas Instruments | 917 ₽ | ||
| INA111BUE4 Texas Instruments | 1 712 ₽ | ||
| INA111BUE4 Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 16 |
| Package Type | DW |
| Industry STD Term | SOIC |
| JEDEC Code | R-PDSO-G |
| Package QTY | 40 |
| Carrier | TUBE |
| Маркировка | INA111BU |
| Width (мм) | 7.5 |
| Length (мм) | 10.3 |
| Thickness (мм) | 2.35 |
| Pitch (мм) | 1.27 |
| Max Height (мм) | 2.65 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Bandwidth at Min Gain(Typ) | 2 МГц |
| CMRR(Min) | 106 дБ |
| Gain Error (+/-)(Max) | 2 % |
| Gain Non-Linearity (+/-)(Max) | 0.005 % |
| Gain(Max) | 1000 V/V |
| Gain(Min) | 1 V/V |
| Input Bias Current (+/-)(Max) | 0.02 нА |
| Input Offset (+/-)(Max) | 500 uV |
| Input Offset Drift (+/-)(Max) | 5 uV/C |
| Iq(Typ) | 3.3 мА |
| Noise at 0.1 Hz - 10 Hz(Typ) | 1 uVpp |
| Noise at 1kHz(Typ)(nV/rt | 10 Hz |
| Количество каналов | 1 |
| Рабочий диапазон температур | от -40 до 85 C |
| Package Group | SOIC |
| Package Size: mm2:W x L | 16SOIC: 106 mm2: 10.3 x 10.3(SOIC) PKG |
| Rating | Catalog |
| Vs(Max) | 36 В |
| Vs(Min) | 12 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: INA111 (11)
Классификация производителя
- Semiconductors > Amplifiers > Instrumentation Amplifiers
