Datasheet Texas Instruments CSD19538Q2T — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19538Q2 |
| Модель | CSD19538Q2T |
100 В, 49 мОм SON2x2 NexFET Power MOSFET 6-WSON от -55 до 150
Datasheets
CSD19538Q2 100-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 394 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 20 янв 2017
Выписка из документа
 Купить CSD19538Q2T на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 105 ₽26 предложений от 15 поставщиков MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON. N-Channel 100V 13.1A (Tc) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) Surface Mount 6-WSON (2x2). Transistors - FETs, MOSFETs... | |||
| CSD19538Q2T Texas Instruments | от 19 ₽ | ||
| CSD19538Q2T Texas Instruments | 21 ₽ | ||
| CSD19538Q2T Texas Instruments | 87 ₽ | ||
| CSD19538Q2T Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 6 |
| Package Type | DQK |
| Package QTY | 250 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | 1958 |
| Width (мм) | 2 |
| Length (мм) | 2 |
| Thickness (мм) | .75 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 13.1 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 34.4 A |
| Корпус | SON2x2 мм |
| QG Typ | 4.3 nC |
| QGD Typ | 0.8 nC |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 59 mOhms |
| VDS | 100 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 3.2 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: CSD19538Q2 (2)
- CSD19538Q2 CSD19538Q2T
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
