Datasheet Texas Instruments CSD19506KCS — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19506KCS |
| Модель | CSD19506KCS |
80 В, N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 3-TO-220 от -55 до 175
Datasheets
CSD19506KCS 80 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 414 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 20 окт 2014
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD19506KCS на РадиоЛоцман.Цены — от 61 до 1 845 ₽41 предложений от 16 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 100 А, 0.002 Ом, TO-220, Through Hole | |||
| CSD19506KCS Texas Instruments | 256 ₽ | ||
| CSD19506KCS Texas Instruments | 444 ₽ | ||
| CSD19506KCS Texas Instruments | от 696 ₽ | ||
| CSD19506KCS Texas Instruments | от 807 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 3 |
| Package Type | KCS |
| Industry STD Term | TO-220 |
| JEDEC Code | R-PSFM-T |
| Package QTY | 50 |
| Carrier | TUBE |
| Маркировка | CSD19506KCS |
| Width (мм) | 8.7 |
| Length (мм) | 10.16 |
| Thickness (мм) | 4.58 |
| Pitch (мм) | 2.54 |
| Max Height (мм) | 4.7 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 273 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
| Корпус | TO-220 мм |
| QG Typ | 120 nC |
| QGD Typ | 20 nC |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 2.3 mOhms |
| VDS | 80 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 2.5 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
