Datasheet Texas Instruments CSD87312Q3E-ASY — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD87312Q3E |
| Модель | CSD87312Q3E-ASY |
Двойные N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET 30 В 8-VSON от -55 до 150
Datasheets
Dual 30-V N-Channel NexFet Power MOSFET, CSD87312Q3E datasheet
PDF, 783 Кб, Файл опубликован: 19 ноя 2011
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD87312Q3E на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 207 ₽26 предложений от 14 поставщиков Полупроводники - Дискретные | |||
| CSD87312Q3E Texas Instruments | от 112 ₽ | ||
| CSD87312Q3E Texas Instruments | 207 ₽ | ||
| CSD87312Q3E Texas Instruments | по запросу | ||
| CSD87312Q3E Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | Анонсирован (Компонент анонсирован, но еще не запущен в серийное производство. Образцы могут быть как доступны, так и нет) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DPB |
| Width (мм) | 3.3 |
| Length (мм) | 3.3 |
| Thickness (мм) | .9 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Approx. Price (US$) | 0.35 | 1ku |
| Configuration | Dual Common Source |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)(A) | 45 |
| Package (mm) | SON3x3 |
| QG Typ(nC) | 6.3 |
| QGD Typ(nC) | 0.7 |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V(mOhm) | 31 |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V(mOhms) | 38 |
| VDS(V) | 30 |
| VGS(V) | 10 |
| VGSTH Typ(V) | 1 |
Экологический статус
| RoHS | Не совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Нет |
Модельный ряд
Серия: CSD87312Q3E (2)
- CSD87312Q3E CSD87312Q3E-ASY
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
Варианты написания:
CSD87312Q3EASY, CSD87312Q3E ASY
