Datasheet Texas Instruments TPS1120DR — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | TPS1120 |
Модель | TPS1120DR |
![Datasheet Texas Instruments TPS1120DR](http://www.ti.com/graphics/folders/partimages/TPS1120.jpg)
Двойной P-канальный МОП-транзистор 8-SOIC с режимом улучшения
Datasheets
Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFETs datasheet
PDF, 373 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 1 авг 1995
Выписка из документа
Цены
![]() 13 предложений от 10 поставщиков MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC | |||
TPS1120DR Texas Instruments | 80 ₽ | ||
TPS1120DR Texas Instruments | от 219 ₽ | ||
TPS1120DR Texas Instruments | по запросу | ||
TPS1120DR Texas Instruments | по запросу |
Статус
Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Pin | 8 |
Package Type | D |
Industry STD Term | SOIC |
JEDEC Code | R-PDSO-G |
Package QTY | 2500 |
Carrier | LARGE T&R |
Маркировка | 1120 |
Width (мм) | 3.91 |
Length (мм) | 4.9 |
Thickness (мм) | 1.58 |
Pitch (мм) | 1.27 |
Max Height (мм) | 1.75 |
Mechanical Data | Скачать |
Экологический статус
RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: TPS1120 (3)
- TPS1120D TPS1120DG4 TPS1120DR
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > P-Channel MOSFET Transistor