Datasheet Texas Instruments TPS1120DR — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | TPS1120 |
| Модель | TPS1120DR |
Двойной P-канальный МОП-транзистор 8-SOIC с режимом улучшения
Datasheets
Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFETs datasheet
PDF, 373 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 1 авг 1995
Выписка из документа
Цены
 Купить TPS1120DR на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 261 ₽24 предложений от 14 поставщиков Транзистор: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC | |||
| TPS1120DR Texas Instruments | от 25 ₽ | ||
| TPS1120DR Texas Instruments | от 77 ₽ | ||
| TPS1120DR Texas Instruments | от 261 ₽ | ||
| TPS1120DR Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | D |
| Industry STD Term | SOIC |
| JEDEC Code | R-PDSO-G |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | 1120 |
| Width (мм) | 3.91 |
| Length (мм) | 4.9 |
| Thickness (мм) | 1.58 |
| Pitch (мм) | 1.27 |
| Max Height (мм) | 1.75 |
| Mechanical Data | Скачать |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: TPS1120 (3)
- TPS1120D TPS1120DG4 TPS1120DR
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > P-Channel MOSFET Transistor
