Datasheet Texas Instruments CSD17556Q5B — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD17556Q5B |
Модель | CSD17556Q5B |
N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET 30 В 8-VSON-CLIP от -55 до 150
Datasheets
CSD17556Q5B 30-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 871 Кб, Версия: C, Файл опубликован: 17 янв 2017
Выписка из документа
Цены
Купить CSD17556Q5B на РадиоЛоцман.Цены — от 70 до 246 ₽ 19 предложений от 12 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 100 А, 0.0012 Ом, VSON, Surface Mount | |||
CSD17556Q5B Texas Instruments | от 70 ₽ | ||
CSD17556Q5B Texas Instruments | 72 ₽ | ||
CSD17556Q5B Texas Instruments | 96 ₽ | ||
CSD17556Q5B Texas Instruments | по запросу |
Статус
Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Pin | 8 |
Package Type | DNK |
Package QTY | 2500 |
Carrier | LARGE T&R |
Маркировка | CSD17556 |
Width (мм) | 6 |
Length (мм) | 5 |
Thickness (мм) | .95 |
Mechanical Data | Скачать |
Параметры
Configuration | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC | 215 A |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
Корпус | SON5x6 мм |
QG Typ | 28.5 nC |
QGD Typ | 6.9 nC |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 1.5 mOhm |
Rds(on) Max at VGS=10V | 1.4 mOhms |
Rds(on) Max at VGS=4.5V | 1.8 mOhms |
VDS | 30 В |
VGS | 20 В |
VGSTH Typ | 1.4 В |
Экологический статус
RoHS | Совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD17556Q5B (2)
- CSD17556Q5B CSD17556Q5BT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor