Datasheet Texas Instruments CSD19536KTTT — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD19536KTT |
Модель | CSD19536KTTT |
CSD19536KTT N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 100 В 3-DDPAK/TO-263
Datasheets
CSD19536KTT 100-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 915 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 16 авг 2016
Выписка из документа
Цены
Купить CSD19536KTTT на РадиоЛоцман.Цены — от 111 до 717 ₽ 25 предложений от 10 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
CSD19536KTTT Texas Instruments | от 111 ₽ | ||
CSD19536KTTT Texas Instruments | 258 ₽ | ||
CSD19536KTTT Texas Instruments | 313 ₽ | ||
CSD19536KTTT Texas Instruments | от 717 ₽ |
Статус
Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Pin | 3 |
Package Type | KTT |
Industry STD Term | TO-263 |
JEDEC Code | R-PSFM-G |
Package QTY | 50 |
Carrier | SMALL T&R |
Маркировка | CSD19536KTT |
Width (мм) | 8.41 |
Length (мм) | 10.18 |
Thickness (мм) | 4.44 |
Pitch (мм) | 2.54 |
Max Height (мм) | 4.83 |
Mechanical Data | Скачать |
Параметры
Configuration | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC | 272 A |
ID, package limited | 200 A |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
Корпус | D2PAK мм |
QG Typ | 118 nC |
QGD Typ | 17 nC |
Rds(on) Max at VGS=10V | 2.4 mOhms |
VDS | 100 В |
VGS | 20 В |
VGSTH Typ | 2.5 В |
Экологический статус
RoHS | Совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD19536KTT (2)
- CSD19536KTT CSD19536KTTT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor