Datasheet Texas Instruments CSD19536KTTT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19536KTT |
| Модель | CSD19536KTTT |
CSD19536KTT N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 100 В 3-DDPAK/TO-263
Datasheets
CSD19536KTT 100-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 915 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 16 авг 2016
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD19536KTTT на РадиоЛоцман.Цены — от 122 до 1 017 ₽19 предложений от 8 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK | |||
| CSD19536KTTT Texas Instruments | от 122 ₽ | ||
| CSD19536KTTT Texas Instruments | 239 ₽ | ||
| CSD19536KTTT Texas Instruments | 400 ₽ | ||
| CSD19536KTTT Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 3 |
| Package Type | KTT |
| Industry STD Term | TO-263 |
| JEDEC Code | R-PSFM-G |
| Package QTY | 50 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD19536KTT |
| Width (мм) | 8.41 |
| Length (мм) | 10.18 |
| Thickness (мм) | 4.44 |
| Pitch (мм) | 2.54 |
| Max Height (мм) | 4.83 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 272 A |
| ID, package limited | 200 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
| Корпус | D2PAK мм |
| QG Typ | 118 nC |
| QGD Typ | 17 nC |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 2.4 mOhms |
| VDS | 100 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 2.5 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD19536KTT (2)
- CSD19536KTT CSD19536KTTT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
