Datasheet Texas Instruments CSD18503KCS — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD18503KCS |
| Модель | CSD18503KCS |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™, 40 В... . 3-ТО-220 от -55 до 150
Datasheets
CSD18503KCS 40 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 765 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 14 янв 2015
Выписка из документа
 Купить CSD18503KCS на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 199 ₽37 предложений от 16 поставщиков MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3. N-Channel 40V 100A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3. Transistors - FETs, MOSFETs - Single | |||
| CSD18503KCS Texas Instruments | 71 ₽ | ||
| CSD18503KCS Texas Instruments | 136 ₽ | ||
| CSD18503KCS Texas Instruments | 136 ₽ | ||
| CSD18503KCS Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 3 |
| Package Type | KCS |
| Industry STD Term | TO-220 |
| JEDEC Code | R-PSFM-T |
| Package QTY | 50 |
| Carrier | TUBE |
| Маркировка | CSD18503KCS |
| Width (мм) | 8.7 |
| Length (мм) | 10.16 |
| Thickness (мм) | 4.58 |
| Pitch (мм) | 2.54 |
| Max Height (мм) | 4.7 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 142 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 358 A |
| Корпус | TO-220 мм |
| QG Typ | 30 nC |
| QGD Typ | 4.6 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 5.4 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 4.5 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 6.8 mOhms |
| VDS | 40 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 1.9 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
