Datasheet Texas Instruments CSD17556Q5BT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD17556Q5B |
| Модель | CSD17556Q5BT |
N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET 30 В 8-VSON-CLIP от -55 до 150
Datasheets
CSD17556Q5B 30-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 871 Кб, Версия: C, Файл опубликован: 17 янв 2017
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD17556Q5BT на РадиоЛоцман.Цены — от 101 до 286 ₽23 предложений от 10 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А; 191Вт | |||
| CSD17556Q5BT Texas Instruments | 101 ₽ | ||
| CSD17556Q5BT Texas Instruments | 216 ₽ | ||
| CSD17556Q5BT Texas Instruments | от 262 ₽ | ||
| CSD17556Q5BT Texas Instruments | от 286 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DNK |
| Package QTY | 250 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD17556 |
| Width (мм) | 6 |
| Length (мм) | 5 |
| Thickness (мм) | .95 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 215 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
| Корпус | SON5x6 мм |
| QG Typ | 28.5 nC |
| QGD Typ | 6.9 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 1.5 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 1.4 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 1.8 mOhms |
| VDS | 30 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 1.4 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD17556Q5B (2)
- CSD17556Q5B CSD17556Q5BT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
