Datasheet Texas Instruments CSD13201W10 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD13201W10 |
| Модель | CSD13201W10 |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 4-DSBGA от -55 до 150
Datasheets
CSD13201W10 N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 724 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 30 сен 2015
Выписка из документа
 Купить CSD13201W10 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.77 до 41 ₽31 предложений от 12 поставщиков MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA. N-Channel 12V 1.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1). Transistors - FETs, MOSFETs - Single... | |||
| CSD13201W10 Texas Instruments | от 9.00 ₽ | ||
| CSD13201W10 Texas Instruments | 9.21 ₽ | ||
| CSD13201W10 Texas Instruments | 18 ₽ | ||
| CSD13201W10 Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 4 |
| Package Type | YZB |
| Industry STD Term | DSBGA |
| JEDEC Code | S-XBGA-N |
| Package QTY | 3000 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | 201 |
| Thickness (мм) | .65 |
| Pitch (мм) | .5 |
| Max Height (мм) | .625 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 20.2 A |
| Корпус | WLP 1.0x1.0 мм |
| QG Typ | 2.3 nC |
| QGD Typ | 0.3 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 26 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 34 mOhms |
| VDS | 12 В |
| VGS | 8 В |
| VGSTH Typ | 0.8 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
