Datasheet Texas Instruments CSD19537Q3 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19537Q3 |
| Модель | CSD19537Q3 |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET 100 В 8-VSON-CLIP от -55 до 150
Datasheets
CSD19537Q3 100-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 504 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 31 май 2016
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD19537Q3 на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 227 ₽43 предложений от 17 поставщиков Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 50А, 83Вт, VSON-CLIP8 | |||
| CSD19537Q3 Texas Instruments | 33 ₽ | ||
| CSD19537Q3 Texas Instruments | 89 ₽ | ||
| CSD19537Q3 Texas Instruments | 120 ₽ | ||
| CSD19537Q3T Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DQG |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | CSD19537 |
| Width (мм) | 3.3 |
| Length (мм) | 3.3 |
| Thickness (мм) | 1 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 53 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 219 A |
| Корпус | SON3x3 мм |
| QG Typ | 16 nC |
| QGD Typ | 2.9 nC |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 14.5 mOhms |
| VDS | 100 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 3.0 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD19537Q3 (2)
- CSD19537Q3 CSD19537Q3T
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
