Datasheet Texas Instruments CSD18532KCS — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD18532KCS |
Модель | CSD18532KCS |

N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™, 60 В, 3-TO-220 от -55 до 150
Datasheets
CSD18532KCS 60-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 751 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 16 июл 2014
Выписка из документа
Цены
![]() 45 предложений от 17 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 250Вт; TO220-3 | |||
CSD18532KCS Texas Instruments | от 27 ₽ | ||
CSD18532KCS Texas Instruments | 215 ₽ | ||
CSD18532KCS Texas Instruments | от 250 ₽ | ||
CSD18532KCS Texas Instruments | от 290 ₽ |
Статус
Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Pin | 3 |
Package Type | KCS |
Industry STD Term | TO-220 |
JEDEC Code | R-PSFM-T |
Package QTY | 50 |
Carrier | TUBE |
Маркировка | CSD18532KCS |
Width (мм) | 8.7 |
Length (мм) | 10.16 |
Thickness (мм) | 4.58 |
Pitch (мм) | 2.54 |
Max Height (мм) | 4.7 |
Mechanical Data | Скачать |
Параметры
Configuration | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC | 169 A |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
Корпус | TO-220 мм |
QG Typ | 44 nC |
QGD Typ | 6.9 nC |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 4.2 mOhm |
Rds(on) Max at VGS=10V | 4.2 mOhms |
Rds(on) Max at VGS=4.5V | 5.3 mOhms |
VDS | 60 В |
VGS | 20 В |
VGSTH Typ | 1.8 В |
Экологический статус
RoHS | Совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Комплекты разработчика и оценочные наборы
- Evaluation Modules & Boards: UCD3138PSFBEVM-027
UCD3138PSFBEVM-027 Evaluation Module
Статус продукта: В производстве (Рекомендуется для новых разработок)
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor