Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet Texas Instruments OPA659IDRBR — Даташит

ПроизводительTexas Instruments
СерияOPA659
МодельOPA659IDRBR
Datasheet Texas Instruments OPA659IDRBR

Стабильный входной усилитель JFET с единичным коэффициентом усиления 650 МГц, 8-SON от -40 до 85

Datasheets

OPA659 Wideband, Unity-Gain Stable, JFET-Input Operational Amplifier datasheet
PDF, 1.5 Мб, Версия: C, Файл опубликован: 23 ноя 2015
Выписка из документа

Цены

14 предложений от 11 поставщиков
650MHz unity gain stable JFET input amplifier 8-SON -40℃ to 85℃
EIS Components
Весь мир
OPA659IDRBR
Texas Instruments
248 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
OPA659IDRBR
Texas Instruments
338 ₽
ЧипСити
Россия
OPA659IDRBR
Texas Instruments
672 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
OPA659IDRBR
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Статус

Статус продуктаВ производстве (Рекомендуется для новых разработок)
Доступность образцов у производителяНет

Корпус / Упаковка / Маркировка

Pin8
Package TypeDRB
Industry STD TermVSON
JEDEC CodeS-PDSO-N
Package QTY3000
CarrierLARGE T&R
МаркировкаOBFI
Width (мм)3
Length (мм)3
Thickness (мм).88
Pitch (мм).65
Max Height (мм)1
Mechanical DataСкачать

Параметры

2nd Harmonic79 dBc
3rd Harmonic100 dBc
@ MHz10
Acl, min spec gain2 V/V
Additional FeaturesN/A
АрхитектураFET,Voltage FB
BW @ Acl650 МГц
CMRR(Min)68 дБ
CMRR(Typ)70 дБ
GBW(Typ)650 МГц
Input Bias Current(Max)50 pA
Iq per channel(Max)32 мА
Iq per channel(Typ)30.5 мА
Количество каналов1
Offset Drift(Typ)10 uV/C
Рабочий диапазон температурот -40 до 85 C
Output Current(Typ)70 мА
Package GroupSON
Package Size: mm2:W x LSee datasheet (SON) PKG
Rail-to-RailNo
RatingCatalog
Slew Rate(Typ)2550 V/us
Total Supply Voltage(Max)13 +5V=5, +/-5V=10
Total Supply Voltage(Min)7 +5V=5, +/-5V=10
Vn at 1kHz(Typ)8.9 нВ/rtГц
Vn at Flatband(Typ)8.9 нВ/rtГц
Vos (Offset Voltage @ 25C)(Max)5 мВ

Экологический статус

RoHSСовместим

Комплекты разработчика и оценочные наборы

  • Evaluation Modules & Boards: OPA659EVM
    OPA659EVM Evaluation Module
    Статус продукта: В производстве (Рекомендуется для новых разработок)

Application Notes

  • Noise Analysis for High Speed Op Amps (Rev. A)
    PDF, 256 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 17 янв 2005
    As system bandwidths have increased an accurate estimate of the noise contribution for each element in the signal channel has become increasingly important. Many designers are not however particularly comfortable with the calculations required to predict the total noise for an op amp or in the conversions between the different descriptions of noise. Considerable inconsistency between manufactu

Модельный ряд

Серия: OPA659 (4)

Классификация производителя

  • Semiconductors > Amplifiers > Operational Amplifiers (Op Amps) > High-Speed Op Amps (>=50MHz)

На английском языке: Datasheet Texas Instruments OPA659IDRBR

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России