OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheet Texas Instruments TPS1101DG4 — Даташит

ПроизводительTexas Instruments
СерияTPS1101
МодельTPS1101DG4
Datasheet Texas Instruments TPS1101DG4

Одиночный P-канальный МОП-транзистор в режиме улучшения 8-SOIC

Datasheets

Single P-Channel Enhancement-Mode MOSFETs datasheet
PDF, 493 Кб, Версия: C, Файл опубликован: 1 авг 1995
Выписка из документа

Цены

6 предложений от 6 поставщиков
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
T-electron
Россия и страны СНГ
TPS1101DG4
Texas Instruments
103 ₽
AiPCBA
Весь мир
TPS1101DG4
Texas Instruments
142 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
TPS1101DG4
Texas Instruments
по запросу
Acme Chip
Весь мир
TPS1101DG4
по запросу
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Статус

Статус продуктаВ производстве (Рекомендуется для новых разработок)
Доступность образцов у производителяДа

Корпус / Упаковка / Маркировка

Pin8
Package TypeD
Industry STD TermSOIC
JEDEC CodeR-PDSO-G
Package QTY75
CarrierTUBE
Маркировка1101
Width (мм)3.91
Length (мм)4.9
Thickness (мм)1.58
Pitch (мм)1.27
Max Height (мм)1.75
Mechanical DataСкачать

Экологический статус

RoHSСовместим

Модельный ряд

Серия: TPS1101 (6)

Классификация производителя

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > P-Channel MOSFET Transistor

На английском языке: Datasheet Texas Instruments TPS1101DG4

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России