Datasheet Texas Instruments CSD25304W1015T — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD25304W1015 |
| Модель | CSD25304W1015T |
CSD25304W1015 Силовой МОП-транзистор NexFET™ с P-каналом, 20 В, 6-DSBGA
Datasheets
CSD25304W1015 20-V P-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 415 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 26 авг 2014
Выписка из документа
 Купить CSD25304W1015T на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 90 ₽33 предложений от 13 поставщиков MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA. P-Channel 20V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount 6-DSBGA. Transistors - FETs, MOSFETs - Single | |||
| CSD25304W1015T Texas Instruments | от 35 ₽ | ||
| CSD25304W1015T Texas Instruments | 52 ₽ | ||
| CSD25304W1015T Texas Instruments | от 82 ₽ | ||
| CSD25304W1015T Texas Instruments | от 86 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 6 |
| Package Type | YZC |
| Industry STD Term | DSBGA |
| JEDEC Code | R-XBGA-N |
| Package QTY | 250 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | 25304 |
| Width (мм) | 1.8 |
| Length (мм) | 1.5 |
| Thickness (мм) | 2 |
| Pitch (мм) | .5 |
| Max Height (мм) | 1 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| Id Max Cont | -3 A |
| Id Peak(Max) | -41 A |
| Корпус | WLP 1.0x1.5 мм |
| QG Typ | 3.3 nC |
| QGD Typ | 0.5 nC |
| QGS Typ | 0.7 nC |
| Rds(on) Max at VGS=1.8V | 92 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=2.5V | 45.5 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 32.5 mOhms |
| VDS | -20 В |
| VGS | -8 В |
| VGSTH Typ | -0.8 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: CSD25304W1015 (2)
- CSD25304W1015 CSD25304W1015T
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > P-Channel MOSFET Transistor
