Datasheet Texas Instruments CSD19531KCS — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19531KCS |
| Модель | CSD19531KCS |
100 В, 6,4 мОм, TO-220 NexFET™ Power MOSFET 3-TO-220 от -55 до 175
Datasheets
CSD19531KCS 100-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 370 Кб, Версия: C, Файл опубликован: 8 мар 2017
Выписка из документа
 Купить CSD19531KCS на РадиоЛоцман.Цены — от 23 до 448 ₽50 предложений от 20 поставщиков MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3. N-Channel 100V 100A (Ta) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3. Transistors - FETs, MOSFETs - Single | |||
| CSD19531KCS Texas Instruments | 84 ₽ | ||
| CSD19531KCS Texas Instruments | 358 ₽ | ||
| CSD19531KCS Texas Instruments | по запросу | ||
| CSD19531KCS | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 3 |
| Package Type | KCS |
| Industry STD Term | TO-220 |
| JEDEC Code | R-PSFM-T |
| Package QTY | 50 |
| Carrier | TUBE |
| Маркировка | CSD19531KCS |
| Width (мм) | 8.7 |
| Length (мм) | 10.16 |
| Thickness (мм) | 4.58 |
| Pitch (мм) | 2.54 |
| Max Height (мм) | 4.7 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 110 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 285 A |
| Корпус | TO-220 мм |
| QG Typ | 38 nC |
| QGD Typ | 7.5 nC |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 7.7 mOhms |
| VDS | 100 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 2.7 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
