Datasheet Texas Instruments CSD18536KTTT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD18536KTT |
| Модель | CSD18536KTTT |
60 В, N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET 3-DDPAK/TO-263 от -55 до 175
Datasheets
CSD18536KTT 60 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 413 Кб, Файл опубликован: 10 мар 2016
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD18536KTTT на РадиоЛоцман.Цены — от 128 до 1 385 ₽28 предложений от 12 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK | |||
| CSD18536KTTT Texas Instruments | 207 ₽ | ||
| CSD18536KTTT Texas Instruments | 510 ₽ | ||
| CSD18536KTTT Texas Instruments | от 563 ₽ | ||
| CSD18536KTTT Texas Instruments | от 1 385 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 3 |
| Package Type | KTT |
| Industry STD Term | TO-263 |
| JEDEC Code | R-PSFM-G |
| Package QTY | 50 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD18536KTT |
| Width (мм) | 8.41 |
| Length (мм) | 10.18 |
| Thickness (мм) | 4.44 |
| Pitch (мм) | 2.54 |
| Max Height (мм) | 4.83 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 349 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
| Корпус | D2PAK мм |
| QG Typ | 108 nC |
| QGD Typ | 14 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 1.7 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 1.6 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 2.2 mOhms |
| VDS | 60 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 1.8 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD18536KTT (2)
- CSD18536KTT CSD18536KTTT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
