Datasheet Texas Instruments CSD19503KCS — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD19503KCS |
Модель | CSD19503KCS |
80 В, 7,6 мОм, N-канальный TO-220 NexFET™ Power MOSFET 3-TO-220 от -55 до 150
Datasheets
CSD19503KCS 80-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 684 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 14 авг 2014
Выписка из документа
Цены
Купить CSD19503KCS на РадиоЛоцман.Цены — от 65 до 266 ₽ 19 предложений от 10 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 188Вт; TO220-3 | |||
CSD19503KCS Texas Instruments | 65 ₽ | ||
CSD19503KCS Texas Instruments | 72 ₽ | ||
CSD19503KCS Texas Instruments | от 165 ₽ | ||
CSD19503KCS Texas Instruments | от 266 ₽ |
Статус
Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Pin | 3 |
Package Type | KCS |
Industry STD Term | TO-220 |
JEDEC Code | R-PSFM-T |
Package QTY | 50 |
Carrier | TUBE |
Маркировка | CSD19503KCS |
Width (мм) | 8.7 |
Length (мм) | 10.16 |
Thickness (мм) | 4.58 |
Pitch (мм) | 2.54 |
Max Height (мм) | 4.7 |
Mechanical Data | Скачать |
Параметры
Configuration | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC | 94 A |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 247 A |
Корпус | TO-220 мм |
QG Typ | 28 nC |
QGD Typ | 5.4 nC |
Rds(on) Max at VGS=10V | 9.2 mOhms |
VDS | 80 В |
VGS | 20 В |
VGSTH Typ | 2.8 В |
Экологический статус
RoHS | Совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor