Datasheet Texas Instruments CSD18537NQ5AT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD18537NQ5A |
| Модель | CSD18537NQ5AT |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™, 60 В 8-VSONP от -55 до 150
Datasheets
CSD18537NQ5A 60-V N-Channel NexFET Power MOSFETs datasheet
PDF, 694 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 3 июл 2014
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD18537NQ5AT на РадиоЛоцман.Цены — от 21 до 222 ₽22 предложений от 11 поставщиков TEXAS INSTRUMENTS CSD18537NQ5ATMOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 60 V, 0.01 ohm, 10 V, 3 V | |||
| CSD18537NQ5AT Texas Instruments | 21 ₽ | ||
| CSD18537NQ5AT Texas Instruments | 32 ₽ | ||
| CSD18537NQ5AT Texas Instruments | от 190 ₽ | ||
| CSD18537NQ5AT Texas Instruments | от 222 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DQJ |
| Package QTY | 250 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | 18537N |
| Width (мм) | 6 |
| Length (мм) | 4.9 |
| Thickness (мм) | 1 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 54 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 151 A |
| Корпус | SON5x6 мм |
| QG Typ | 14 nC |
| QGD Typ | 2.3 nC |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 13 mOhms |
| VDS | 60 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 3 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Комплекты разработчика и оценочные наборы
- Evaluation Modules & Boards: TPS40170EVM-597
Evaluation Module TPS40170 Synchronous PWM Buck Controller with NexFETВ™
Статус продукта: В производстве (Рекомендуется для новых разработок)
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD18537NQ5A (2)
- CSD18537NQ5A CSD18537NQ5AT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
