Datasheet Texas Instruments CSD16556Q5B — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD16556Q5B |
| Модель | CSD16556Q5B |
NexFET N-канальный силовой MosFET 25 В 8-VSON-CLIP от -55 до 150
Datasheets
CSD16556Q5B 25-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 838 Кб, Версия: C, Файл опубликован: 7 янв 2014
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD16556Q5B на РадиоЛоцман.Цены — от 28 до 227 ₽28 предложений от 13 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
| CSD16556Q5B Texas Instruments | от 28 ₽ | ||
| CSD16556Q5B Texas Instruments | от 89 ₽ | ||
| CSD16556Q5B Texas Instruments | 209 ₽ | ||
| CSD16556Q5B Texas Instruments | от 210 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DNK |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | CSD16556 |
| Width (мм) | 6 |
| Length (мм) | 5 |
| Thickness (мм) | .95 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 263 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
| Корпус | SON5x6 мм |
| QG Typ | 37 nC |
| QGD Typ | 13 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 1.2 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 1.07 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 1.5 mOhms |
| VDS | 25 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 1.4 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
