Datasheet Texas Instruments CSD13202Q2 — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD13202Q2 |
Модель | CSD13202Q2 |

N-канальный силовой МОП-транзистор, CSD13202Q2, 12 В Vds, 9,3 МОм Rdson4,5 (макс.) 6-WSON от -55 до 150
Datasheets
N-Channel NexFET Power MOSFET, CSD13202Q2 datasheet
PDF, 711 Кб, Файл опубликован: 24 сен 2013
Выписка из документа
Цены
![]() 34 предложений от 14 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 12 В, 22 А, 0.0075 Ом, WSON, Surface Mount | |||
CSD13202Q2 Texas Instruments | 15 ₽ | ||
CSD13202Q2 Texas Instruments | от 33 ₽ | ||
CSD13202Q2 Texas Instruments | 175 ₽ | ||
CSD13202Q2 Texas Instruments | по запросу |
Статус
Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Pin | 6 |
Package Type | DQK |
Package QTY | 3000 |
Carrier | LARGE T&R |
Маркировка | 1322 |
Width (мм) | 2 |
Length (мм) | 2 |
Thickness (мм) | .75 |
Mechanical Data | Скачать |
Параметры
Configuration | Single |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 76 A |
Корпус | SON2x2 мм |
QG Typ | 5.1 nC |
QGD Typ | 0.76 nC |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 7.5 mOhm |
Rds(on) Max at VGS=4.5V | 9.3 mOhms |
VDS | 12 В |
VGS | 8 В |
VGSTH Typ | 0.8 В |
Экологический статус
RoHS | Совместим |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor