Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet Texas Instruments LM5109BQNGTTQ1 — Даташит

ПроизводительTexas Instruments
СерияLM5109B-Q1
МодельLM5109BQNGTTQ1
Datasheet Texas Instruments LM5109BQNGTTQ1

Высоковольтный драйвер полумоста 1 А, пик 8-WSON от -40 до 125

Datasheets

LM5109B-Q1 High Voltage 1-A Peak Half Bridge Gate Driver datasheet
PDF, 799 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 8 дек 2015
Выписка из документа

Цены

21 предложений от 12 поставщиков
IC: driver; контроллер затвора MOSFET; DIP8; 3А; Ch: 2; 4,5÷18В
AiPCBA
Весь мир
LM5109BQNGTTQ1
Texas Instruments
69 ₽
ChipWorker
Весь мир
LM5109BQNGTTQ1
Texas Instruments
71 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
LM5109BQNGTTQ1
Texas Instruments
75 ₽
Элитан
Россия
LM5109BQNGTTQ1
Texas Instruments
233 ₽
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Статус

Статус продуктаВ производстве (Рекомендуется для новых разработок)
Доступность образцов у производителяДа

Корпус / Упаковка / Маркировка

Pin8
Package TypeNGT
Industry STD TermWSON
JEDEC CodeS-PDSO-N
Package QTY1000
CarrierSMALL T&R
МаркировкаL5109Q
Width (мм)4
Length (мм)4
Thickness (мм).8
Pitch (мм).8
Max Height (мм).8
Mechanical DataСкачать

Параметры

Bus Voltage90 В
Channel Input LogicTTL
Fall Time15 нс
Input ThresholdTTL
Input VCC(Max)14 В
Input VCC(Min)8 В
Iq10 uA
Negative Voltage Handling at HS Pin-1 В
Количество каналов2
Рабочий диапазон температурот -40 до 125 C
Package GroupWSON
Peak Output Current1 A
Power SwitchMOSFET
Prop Delay30 нс
RatingAutomotive
Rise Time15 нс
Special FeaturesN/A

Экологический статус

RoHSСовместим

Модельный ряд

Серия: LM5109B-Q1 (2)

Классификация производителя

  • Semiconductors > Power Management > MOSFET and IGBT Gate Drivers > Half-bridge Driver

На английском языке: Datasheet Texas Instruments LM5109BQNGTTQ1

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Публикации по теме