Datasheet Texas Instruments CSD18532NQ5BT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD18532NQ5B |
| Модель | CSD18532NQ5BT |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™, 60 В 8-VSON-CLIP от -55 до 150
Datasheets
CSD18532NQ5B 60 V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 937 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 17 май 2017
Выписка из документа
 Купить CSD18532NQ5BT на РадиоЛоцман.Цены — от 52 до 359 ₽36 предложений от 14 поставщиков MOSFET N-CH 60V 100A. N-Channel 60V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6). Transistors - FETs, MOSFETs -... | |||
| CSD18532NQ5BT Texas Instruments | 75 ₽ | ||
| CSD18532NQ5BT Texas Instruments | от 99 ₽ | ||
| CSD18532NQ5BT Texas Instruments | 233 ₽ | ||
| CSD18532NQ5BT Texas Instruments | от 359 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DNK |
| Package QTY | 250 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | 18532N |
| Width (мм) | 6 |
| Length (мм) | 5 |
| Thickness (мм) | .95 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 163 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
| Корпус | SON5x6 мм |
| QG Typ | 49 nC |
| QGD Typ | 7.9 nC |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 3.4 mOhms |
| VDS | 60 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 2.8 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD18532NQ5B (2)
- CSD18532NQ5B CSD18532NQ5BT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
