Datasheet Texas Instruments CSD18532NQ5BT — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD18532NQ5B |
Модель | CSD18532NQ5BT |

N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™, 60 В 8-VSON-CLIP от -55 до 150
Datasheets
CSD18532NQ5B 60 V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 937 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 17 май 2017
Выписка из документа
Цены
![]() 33 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 151 А, 0.0027 Ом, VSON, Surface Mount | |||
CSD18532NQ5BT Texas Instruments | 71 ₽ | ||
CSD18532NQ5BT Texas Instruments | от 235 ₽ | ||
CSD18532NQ5BT Texas Instruments | от 276 ₽ | ||
CSD18532NQ5BT Texas Instruments | от 359 ₽ |
Статус
Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Pin | 8 |
Package Type | DNK |
Package QTY | 250 |
Carrier | SMALL T&R |
Маркировка | 18532N |
Width (мм) | 6 |
Length (мм) | 5 |
Thickness (мм) | .95 |
Mechanical Data | Скачать |
Параметры
Configuration | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC | 163 A |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
Корпус | SON5x6 мм |
QG Typ | 49 nC |
QGD Typ | 7.9 nC |
Rds(on) Max at VGS=10V | 3.4 mOhms |
VDS | 60 В |
VGS | 20 В |
VGSTH Typ | 2.8 В |
Экологический статус
RoHS | Совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD18532NQ5B (2)
- CSD18532NQ5B CSD18532NQ5BT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor