Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet Texas Instruments UC1709L — Даташит

ПроизводительTexas Instruments
СерияUC1709
МодельUC1709L
Datasheet Texas Instruments UC1709L

Инвертирующие высокоскоростные драйверы MOSFET 20-LCCC от -55 до 125

Datasheets

UC3709 Dual High-Speed FET Driver datasheet
PDF, 548 Кб, Версия: C, Файл опубликован: 27 фев 2008
Выписка из документа

Цены

11 предложений от 11 поставщиков
Микросхема: UC1709 INVERTING HIGH-SPEED MOSF
T-electron
Россия и страны СНГ
UC1709L
Texas Instruments
2 280 ₽
AiPCBA
Весь мир
UC1709L
Texas Instruments
2 424 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
UC1709L
Unitrode
по запросу
Acme Chip
Весь мир
UC1709L883B
Texas Instruments
по запросу
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Статус

Статус продуктаВ производстве (Рекомендуется для новых разработок)
Доступность образцов у производителяНет

Корпус / Упаковка / Маркировка

Pin20
Package TypeFK
Industry STD TermLCCC
JEDEC CodeS-CQCC-N
Package QTY1
CarrierTUBE
МаркировкаUC1709L
Width (мм)8.89
Length (мм)8.89
Thickness (мм)1.83
Pitch (мм)1.27
Max Height (мм)2.03
Mechanical DataСкачать

Параметры

Fall Time40 нс
Input ThresholdTTL
Input VCC(Max)40 В
Input VCC(Min)5 В
Количество каналов2
Рабочий диапазон температурот -55 до 125 C
Package GroupLCCC
Peak Output Current1.5 A
Power SwitchMOSFET
Prop Delay25 нс
RatingMilitary
Rise Time40 нс
Special FeaturesThermal Shutdown

Экологический статус

RoHSSee ti.com

Application Notes

  • U-118 New Driver ICs Optimize High-Speed Power MOSFET Switching Characteristics
    PDF, 573 Кб, Файл опубликован: 5 сен 1999
    The UC3705 family of power drivers is made with a high speed Schottky process to interface between low-level control functions and high-power switching devices particularly power MOSFETs. These devices are also an optimum choice for capacitive line drivers where up to 1.5 amps may be switched in either direction. With both inverting and non-inverting inputs available logic signals of either pola
  • U-137 Practical Considerations in High Performance MOSFET IGBT and MCT Gate
    PDF, 244 Кб, Файл опубликован: 5 сен 1999
    The switch-mode power supply industry's trend towards higher conversion frequencies is justified by the dramatic improvement in obtaining higher power densities. And as these frequencies are pushed towards and beyond one MHz the MOSFET transition periods can become a significant portion of the total switching period. Losses associated with the overlap of switch voltage and current not only degrad

Модельный ряд

Серия: UC1709 (4)

Классификация производителя

  • Semiconductors > Space & High Reliability > Power Management Products > MOSFET and IGBT Gate Driver

На английском языке: Datasheet Texas Instruments UC1709L

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России