Datasheet Texas Instruments CSD13302WT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD13302W |
| Модель | CSD13302WT |
CSD13302W N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™, 12 В, 4-DSBGA
Datasheets
CSD13302W 12 V N Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 486 Кб, Файл опубликован: 16 мар 2015
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD13302WT на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 174 ₽20 предложений от 9 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 1,6А; Idm: 29А; 1,8Вт; DSBGA4 | |||
| CSD13302WT Texas Instruments | 12 ₽ | ||
| CSD13302WT Texas Instruments | 36 ₽ | ||
| CSD13302WT Texas Instruments | 39 ₽ | ||
| CSD13302WT Texas Instruments | от 89 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 4 |
| Package Type | YZB |
| Industry STD Term | DSBGA |
| JEDEC Code | S-XBGA-N |
| Package QTY | 250 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | 302 |
| Thickness (мм) | .65 |
| Pitch (мм) | .5 |
| Max Height (мм) | .625 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 29 A |
| Корпус | WLP 1.0x1.0 мм |
| QG Typ | 6.0 nC |
| QGD Typ | 2.1 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 14.6 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 17.1 mOhms |
| VDS | 12 В |
| VGS | 10 В |
| VGSTH Typ | 1.0 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
