Datasheet Texas Instruments CSD18502KCS — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD18502KCS |
| Модель | CSD18502KCS |
N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET™, 40 В, 3-TO-220 от -55 до 150
Datasheets
CSD18502KCS 40-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 752 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 16 июл 2014
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD18502KCS на РадиоЛоцман.Цены — от 28 до 869 ₽35 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 259Вт; TO220-3 | |||
| CSD18502KCS Texas Instruments | от 28 ₽ | ||
| CSD18502KCS Texas Instruments | от 150 ₽ | ||
| CSD18502KCS Texas Instruments | 221 ₽ | ||
| CSD18502KCS Texas Instruments | от 345 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 3 |
| Package Type | KCS |
| Industry STD Term | TO-220 |
| JEDEC Code | R-PSFM-T |
| Package QTY | 50 |
| Carrier | TUBE |
| Маркировка | CSD18502KCS |
| Width (мм) | 8.7 |
| Length (мм) | 10.16 |
| Thickness (мм) | 4.58 |
| Pitch (мм) | 2.54 |
| Max Height (мм) | 4.7 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 212 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
| Корпус | TO-220 мм |
| QG Typ | 52 nC |
| QGD Typ | 8.4 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 3.3 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 2.9 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 4.3 mOhms |
| VDS | 40 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 1.8 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
