Datasheet Texas Instruments CSD13303W1015 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD13303W1015 |
| Модель | CSD13303W1015 |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 6-DSBGA от -55 до 150
Datasheets
N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET, CSD13303W1015 datasheet
PDF, 822 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 23 май 2012
Выписка из документа
 Купить CSD13303W1015 на РадиоЛоцман.Цены — от 5.22 до 33 ₽33 предложений от 14 поставщиков MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA. N-Channel 12V 31A (Ta) 1.65W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA. Transistors - FETs, MOSFETs - Single | |||
| CSD13303W1015 Texas Instruments | от 5.22 ₽ | ||
| CSD13303W1015 Rochester Electronics | 14 ₽ | ||
| CSD13303W1015 Texas Instruments | 31 ₽ | ||
| CSD13303W1015 Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 6 |
| Package Type | YZC |
| Industry STD Term | DSBGA |
| JEDEC Code | R-XBGA-N |
| Package QTY | 3000 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | 13303 |
| Width (мм) | 1.8 |
| Length (мм) | 1.5 |
| Thickness (мм) | 2 |
| Pitch (мм) | .5 |
| Max Height (мм) | 1 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 31 A |
| Корпус | WLP 1.0x1.5 мм |
| QG Typ | 3.9 nC |
| QGD Typ | 0.4 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 16 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 20 mOhms |
| VDS | 12 В |
| VGS | 8 В |
| VGSTH Typ | 0.85 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
