Datasheet Texas Instruments CSD17570Q5B — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD17570Q5B |
| Модель | CSD17570Q5B |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET, 30 В, CSD17570Q5B 8-VSON-CLIP
Datasheets
CSD17570Q5B 30 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 675 Кб, Версия: D, Файл опубликован: 18 май 2017
Выписка из документа
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DNK |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | CSD17570 |
| Width (мм) | 6 |
| Length (мм) | 5 |
| Thickness (мм) | .95 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 407 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
| Корпус | SON5x6 мм |
| QG Typ | 93 nC |
| QGD Typ | 34 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 0.74 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 0.69 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 0.92 mOhms |
| VDS | 30 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 1.5 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD17570Q5B (2)
- CSD17570Q5B CSD17570Q5BT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
