Datasheet Texas Instruments CSD19532Q5B — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19532Q5B |
| Модель | CSD19532Q5B |
100 В, 4,0 мОм, SON5x6 N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 8-VSON-CLIP от -55 до 150
Datasheets
CSD19532Q5B 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 867 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 13 июн 2017
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD19532Q5B на РадиоЛоцман.Цены — от 32 до 426 ₽40 предложений от 16 поставщиков Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A | |||
| CSD19532Q5B Texas Instruments | от 80 ₽ | ||
| CSD19532Q5B Texas Instruments | от 93 ₽ | ||
| CSD19532Q5B Texas Instruments | от 93 ₽ | ||
| CSD19532Q5B Texas Instruments | 426 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DNK |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | CSD19532 |
| Width (мм) | 6 |
| Length (мм) | 5 |
| Thickness (мм) | .95 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 140 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
| Корпус | SON5x6 мм |
| QG Typ | 48 nC |
| QGD Typ | 8.7 nC |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 4.9 mOhms |
| VDS | 100 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 2.6 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD19532Q5B (2)
- CSD19532Q5B CSD19532Q5BT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
