Datasheet Texas Instruments CSD18503Q5AT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD18503Q5A |
| Модель | CSD18503Q5AT |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™, 40 В, CSD18503Q5A 8-VSONP
Datasheets
CSD18503Q5A 40 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 374 Кб, Версия: C, Файл опубликован: 4 июн 2015
Выписка из документа
 Купить CSD18503Q5AT на РадиоЛоцман.Цены — от 30 до 217 ₽32 предложений от 14 поставщиков MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON. N-Channel 40V 100A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6). Transistors - FETs, MOSFETs... | |||
| CSD18503Q5AT Texas Instruments | 130 ₽ | ||
| CSD18503Q5AT Texas Instruments | 143 ₽ | ||
| CSD18503Q5AT Texas Instruments | от 152 ₽ | ||
| CSD18503Q5AT Texas Instruments | от 157 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DQJ |
| Package QTY | 250 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD18503 |
| Width (мм) | 6 |
| Length (мм) | 4.9 |
| Thickness (мм) | 1 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 120 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
| Корпус | SON5x6 мм |
| QG Typ | 26 nC |
| QGD Typ | 4.3 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 4.7 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 4.3 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 6.2 mOhms |
| VDS | 40 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 1.8 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD18503Q5A (2)
- CSD18503Q5A CSD18503Q5AT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
