Datasheet Texas Instruments CSD16327Q3T — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD16327Q3 |
| Модель | CSD16327Q3T |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET 8-VSON-CLIP от -55 до 150
Datasheets
CSD16327Q3 25-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 419 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 28 сен 2016
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD16327Q3T на РадиоЛоцман.Цены — от 23 до 139 ₽32 предложений от 13 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 60А; Idm: 240А; 74Вт; VSON-CLIP8 | |||
| CSD16327Q3T Texas Instruments | 63 ₽ | ||
| CSD16327Q3T Texas Instruments | от 87 ₽ | ||
| CSD16327Q3T Texas Instruments | от 118 ₽ | ||
| CSD16327Q3T Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DQG |
| Package QTY | 250 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD16327 |
| Width (мм) | 3.3 |
| Length (мм) | 3.3 |
| Thickness (мм) | 1 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 112 A |
| Корпус | SON3x3 мм |
| QG Typ | 6.2 nC |
| QGD Typ | 1.1 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 4 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 4.8 mOhms |
| VDS | 25 В |
| VGS | 10 В |
| VGSTH Typ | 1.2 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD16327Q3 (2)
- CSD16327Q3 CSD16327Q3T
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
