Datasheet Texas Instruments CSD18502Q5B — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD18502Q5B |
Модель | CSD18502Q5B |

N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™, 40 В, 8-VSON-CLIP
Datasheets
CSD18502Q5B 40 V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 970 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 18 май 2017
Выписка из документа
Цены
![]() 32 предложений от 15 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 100 А, 0.0018 Ом, VSON, Surface Mount | |||
CSD18502Q5B Texas Instruments | 78 ₽ | ||
CSD18502Q5B Texas Instruments | от 215 ₽ | ||
CSD18502Q5B Texas Instruments | по запросу | ||
CSD18502Q5B Texas Instruments | по запросу |
Статус
Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Pin | 8 |
Package Type | DNK |
Package QTY | 2500 |
Carrier | LARGE T&R |
Маркировка | CSD18502 |
Width (мм) | 6 |
Length (мм) | 5 |
Thickness (мм) | .95 |
Mechanical Data | Скачать |
Параметры
Configuration | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC | 204 A |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
Корпус | SON5x6 мм |
QG Typ | 52 nC |
QGD Typ | 8.4 nC |
Rds(on) Max at VGS=10V | 2.3 mOhms |
Rds(on) Max at VGS=4.5V | 3.3 mOhms |
VDS | 40 В |
VGS | 20 В |
VGSTH Typ | 1.8 В |
Экологический статус
RoHS | Совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD18502Q5B (2)
- CSD18502Q5B CSD18502Q5BT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor