Datasheet Texas Instruments CSD17579Q5AT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD17579Q5A |
| Модель | CSD17579Q5AT |
CSD17579Q5A N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™, 30 В, 8-VSONP
Datasheets
CSD17579Q5A 30 V N-Channel NexFET Power MOSFETs datasheet
PDF, 345 Кб, Файл опубликован: 4 мар 2015
Выписка из документа
 Купить CSD17579Q5AT на РадиоЛоцман.Цены — от 22 до 168 ₽28 предложений от 14 поставщиков MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON. N-Channel 30V 25A (Ta) 3.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6). Transistors - FETs, MOSFETs... | |||
| CSD17579Q5AT Texas Instruments | от 22 ₽ | ||
| CSD17579Q5AT Texas Instruments | 76 ₽ | ||
| CSD17579Q5AT Texas Instruments | 95 ₽ | ||
| CSD17579Q5AT Texas Instruments | от 167 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DQJ |
| Package QTY | 250 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD17579 |
| Width (мм) | 6 |
| Length (мм) | 4.9 |
| Thickness (мм) | 1 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 46 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 105 A |
| Корпус | SON5x6 мм |
| QG Typ | 5.4 nC |
| QGD Typ | 1.2 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 11.6 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 9.7 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 13.3 mOhms |
| VDS | 30 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 1.5 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD17579Q5A (2)
- CSD17579Q5A CSD17579Q5AT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
