Datasheet Texas Instruments CSD85312Q3E — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD85312Q3E |
| Модель | CSD85312Q3E |
Двойные N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET™ на 20 В, CSD85312Q3E 8-VSON от -55 до 150
Datasheets
Dual 20 V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFETs, CSD85312Q3E datasheet
PDF, 1.5 Мб, Файл опубликован: 8 ноя 2013
Выписка из документа
 Купить CSD85312Q3E на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 105 ₽32 предложений от 15 поставщиков MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON. Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3). Transistors -... | |||
| CSD85312Q3E Texas Instruments | 27 ₽ | ||
| CSD85312Q3E Texas Instruments | 56 ₽ | ||
| CSD85312Q3E Texas Instruments | по запросу | ||
| CSD85312Q3E Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DPA |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | 85312E |
| Width (мм) | 3.3 |
| Length (мм) | 3.3 |
| Thickness (мм) | .9 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Dual Common Source |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 39 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 76 A |
| Корпус | SON3x3 мм |
| QG Typ | 11.7 nC |
| QGD Typ | 1.6 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 11.7 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 14 mOhms |
| VDS | 20 В |
| VGS | 10 В |
| VGSTH Typ | 1.1 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
