Datasheet Texas Instruments CSD85312Q3E — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD85312Q3E |
Модель | CSD85312Q3E |
Двойные N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET™ на 20 В, CSD85312Q3E 8-VSON от -55 до 150
Datasheets
Dual 20 V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFETs, CSD85312Q3E datasheet
PDF, 1.5 Мб, Файл опубликован: 8 ноя 2013
Выписка из документа
Цены
Купить CSD85312Q3E на РадиоЛоцман.Цены — от 33 до 211 ₽ 30 предложений от 14 поставщиков Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON | |||
CSD85312Q3E Texas Instruments | 33 ₽ | ||
CSD85312Q3E Texas Instruments | 34 ₽ | ||
CSD85312Q3E Texas Instruments | от 84 ₽ | ||
CSD85312Q3E Texas Instruments | 211 ₽ |
Статус
Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Pin | 8 |
Package Type | DPA |
Package QTY | 2500 |
Carrier | LARGE T&R |
Маркировка | 85312E |
Width (мм) | 3.3 |
Length (мм) | 3.3 |
Thickness (мм) | .9 |
Mechanical Data | Скачать |
Параметры
Configuration | Dual Common Source |
ID, Silicon limited at Tc=25degC | 39 A |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 76 A |
Корпус | SON3x3 мм |
QG Typ | 11.7 nC |
QGD Typ | 1.6 nC |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 11.7 mOhm |
Rds(on) Max at VGS=4.5V | 14 mOhms |
VDS | 20 В |
VGS | 10 В |
VGSTH Typ | 1.1 В |
Экологический статус
RoHS | Совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor