Datasheet Texas Instruments CSD19506KTT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19506KTT |
| Модель | CSD19506KTT |
80 В, N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET 3-DDPAK/TO-263 от -55 до 175
Datasheets
CSD19506KTT 80 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 403 Кб, Файл опубликован: 8 мар 2016
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD19506KTT на РадиоЛоцман.Цены — от 211 до 12 869 ₽21 предложений от 10 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK | |||
| CSD19506KTT Texas Instruments | 211 ₽ | ||
| CSD19506KTT Texas Instruments | 465 ₽ | ||
| CSD19506KTT Texas Instruments | по запросу | ||
| CSD19506KTT Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 3 |
| Package Type | KTT |
| Industry STD Term | TO-263 |
| JEDEC Code | R-PSFM-G |
| Package QTY | 500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | CSD19506KTT |
| Width (мм) | 8.41 |
| Length (мм) | 10.18 |
| Thickness (мм) | 4.44 |
| Pitch (мм) | 2.54 |
| Max Height (мм) | 4.83 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 291 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
| Корпус | D2PAK мм |
| QG Typ | 120 nC |
| QGD Typ | 20 nC |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 2.3 mOhms |
| VDS | 80 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 2.5 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD19506KTT (2)
- CSD19506KTT CSD19506KTTT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
