Datasheet Texas Instruments CSD13302W — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD13302W |
CSD13302W 12 V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET
Datasheets
CSD13302W 12 V N Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 486 Кб, Файл опубликован: 16 мар 2015
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD13302W на РадиоЛоцман.Цены — от 3.74 до 42 ₽24 предложений от 10 поставщиков MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA / N-Channel 12 V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1) | |||
| CSD13302W Texas Instruments | 9.34 ₽ | ||
| CSD13302W Texas Instruments | 16 ₽ | ||
| CSD13302W Texas Instruments | 17 ₽ | ||
| CSD13302W Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| CSD13302W | CSD13302WT | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Нет | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| CSD13302W | CSD13302WT | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 4 | 4 |
| Package Type | YZB | YZB |
| Industry STD Term | DSBGA | DSBGA |
| JEDEC Code | S-XBGA-N | S-XBGA-N |
| Package QTY | 3000 | 250 |
| Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
| Маркировка | 302 | 302 |
| Thickness (мм) | .65 | .65 |
| Pitch (мм) | .5 | .5 |
| Max Height (мм) | .625 | .625 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | CSD13302W | CSD13302WT |
|---|---|---|
| Configuration | Single | Single |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 29 | 29 |
| Корпус, мм | WLP 1.0x1.0 | WLP 1.0x1.0 |
| QG Typ, nC | 6.0 | 6.0 |
| QGD Typ, nC | 2.1 | 2.1 |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 14.6 | 14.6 |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 17.1 | 17.1 |
| VDS, В | 12 | 12 |
| VGS, В | 10 | 10 |
| VGSTH Typ, В | 1.0 | 1.0 |
Экологический статус
| CSD13302W | CSD13302WT | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
Модельный ряд
Серия: CSD13302W (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor
