Datasheet Texas Instruments CSD13306W — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD13306W |

CSD13306W 12 V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET
Datasheets
CSD13306W 12 V N Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 611 Кб, Файл опубликован: 16 мар 2015
Выписка из документа
Цены
![]() 27 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, DSBGA N-CH 12V 3.5A | |||
CSD13306W Texas Instruments | 25 ₽ | ||
CSD13306W Texas Instruments | от 25 ₽ | ||
CSD13306W Texas Instruments | от 26 ₽ | ||
CSD13306W Texas Instruments | по запросу |
Статус
CSD13306W | CSD13306WT | |
---|---|---|
Статус продукта | В производстве | В производстве |
Доступность образцов у производителя | Да | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
CSD13306W | CSD13306WT | |
---|---|---|
N | 1 | 2 |
Pin | 6 | 6 |
Package Type | YZC | YZC |
Industry STD Term | DSBGA | DSBGA |
JEDEC Code | R-XBGA-N | R-XBGA-N |
Package QTY | 3000 | 250 |
Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
Маркировка | 13306 | 13306 |
Width (мм) | 1.8 | 1.8 |
Length (мм) | 1.5 | 1.5 |
Thickness (мм) | 2 | 2 |
Pitch (мм) | .5 | .5 |
Max Height (мм) | 1 | 1 |
Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
Parameters / Models | CSD13306W![]() | CSD13306WT![]() |
---|---|---|
Configuration | Single | Single |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 44 | 44 |
Корпус, мм | WLP 1.0x1.5 | WLP 1.0x1.5 |
QG Typ, nC | 8.6 | 8.6 |
QGD Typ, nC | 3.0 | 3.0 |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 8.8 | 8.8 |
Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 10.2 | 10.2 |
VDS, В | 12 | 12 |
VGS, В | 10 | 10 |
VGSTH Typ, В | 1.0 | 1.0 |
Экологический статус
CSD13306W | CSD13306WT | |
---|---|---|
RoHS | Совместим | Совместим |
Модельный ряд
Серия: CSD13306W (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor