Datasheet Texas Instruments CSD13306W — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD13306W |
CSD13306W 12 V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET
Datasheets
CSD13306W 12 V N Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 611 Кб, Файл опубликован: 16 мар 2015
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD13306W на РадиоЛоцман.Цены — от 8.22 до 39 ₽17 предложений от 10 поставщиков N-Channel 12 V 3.5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5) | |||
| CSD13306W Texas Instruments | от 8.22 ₽ | ||
| CSD13306W Texas Instruments | 14 ₽ | ||
| CSD13306W Texas Instruments | 26 ₽ | ||
| CSD13306W Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| CSD13306W | CSD13306WT | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Да | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| CSD13306W | CSD13306WT | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 6 | 6 |
| Package Type | YZC | YZC |
| Industry STD Term | DSBGA | DSBGA |
| JEDEC Code | R-XBGA-N | R-XBGA-N |
| Package QTY | 3000 | 250 |
| Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
| Маркировка | 13306 | 13306 |
| Width (мм) | 1.8 | 1.8 |
| Length (мм) | 1.5 | 1.5 |
| Thickness (мм) | 2 | 2 |
| Pitch (мм) | .5 | .5 |
| Max Height (мм) | 1 | 1 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | CSD13306W | CSD13306WT |
|---|---|---|
| Configuration | Single | Single |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 44 | 44 |
| Корпус, мм | WLP 1.0x1.5 | WLP 1.0x1.5 |
| QG Typ, nC | 8.6 | 8.6 |
| QGD Typ, nC | 3.0 | 3.0 |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 8.8 | 8.8 |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 10.2 | 10.2 |
| VDS, В | 12 | 12 |
| VGS, В | 10 | 10 |
| VGSTH Typ, В | 1.0 | 1.0 |
Экологический статус
| CSD13306W | CSD13306WT | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
Модельный ряд
Серия: CSD13306W (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor
