Datasheet Texas Instruments CSD16327Q3 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD16327Q3 |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET
Datasheets
CSD16327Q3 25-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 419 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 28 сен 2016
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD16327Q3 на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 139 ₽39 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 25 В, 60 А, 0.0034 Ом, VSON, Surface Mount | |||
| CSD16327Q3T Texas Instruments | 63 ₽ | ||
| CSD16327Q3 Texas Instruments | от 77 ₽ | ||
| CSD16327Q3T Texas Instruments | 125 ₽ | ||
| CSD16327Q3 Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| CSD16327Q3 | CSD16327Q3T | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Да | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| CSD16327Q3 | CSD16327Q3T | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 8 | 8 |
| Package Type | DQG | DQG |
| Package QTY | 2500 | 250 |
| Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD16327 | CSD16327 |
| Width (мм) | 3.3 | 3.3 |
| Length (мм) | 3.3 | 3.3 |
| Thickness (мм) | 1 | 1 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | CSD16327Q3 | CSD16327Q3T |
|---|---|---|
| Configuration | Single | Single |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 112 | 112 |
| Корпус, мм | SON3x3 | SON3x3 |
| QG Typ, nC | 6.2 | 6.2 |
| QGD Typ, nC | 1.1 | 1.1 |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 4 | 4 |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 4.8 | 4.8 |
| VDS, В | 25 | 25 |
| VGS, В | 10 | 10 |
| VGSTH Typ, В | 1.2 | 1.2 |
Экологический статус
| CSD16327Q3 | CSD16327Q3T | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD16327Q3 (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor
