Datasheet Texas Instruments CSD17313Q2 — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD17313Q2 |

30V N Channel NexFETв„ў Power MOSFET
Datasheets
CSD17313Q2 30-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 406 Кб, Версия: E, Файл опубликован: 30 сен 2015
Выписка из документа
Цены
![]() 38 предложений от 18 поставщиков TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - MOSFET Transistor, N Channel, 5 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V | |||
CSD17313Q2 Texas Instruments | от 26 ₽ | ||
CSD17313Q2 Texas Instruments | 58 ₽ | ||
CSD17313Q2 Texas Instruments | 58 ₽ | ||
CSD17313Q2T Texas Instruments | по запросу |
Статус
CSD17313Q2 | CSD17313Q2T | |
---|---|---|
Статус продукта | В производстве | В производстве |
Доступность образцов у производителя | Да | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
CSD17313Q2 | CSD17313Q2T | |
---|---|---|
N | 1 | 2 |
Pin | 6 | 6 |
Package Type | DQK | DQK |
Package QTY | 3000 | 250 |
Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
Маркировка | 1733 | 1733 |
Width (мм) | 2 | 2 |
Length (мм) | 2 | 2 |
Thickness (мм) | .75 | .75 |
Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
Parameters / Models | CSD17313Q2![]() | CSD17313Q2T![]() |
---|---|---|
Configuration | Single | Single |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 20 | 20 |
Корпус, мм | SON2x2 | SON2x2 |
QG Typ, nC | 2.1 | 2.1 |
QGD Typ, nC | 0.4 | 0.4 |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 26 | 26 |
Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 32 | 32 |
VDS, В | 30 | 30 |
VGS, В | 10 | 10 |
VGSTH Typ, В | 1.3 | 1.3 |
Экологический статус
CSD17313Q2 | CSD17313Q2T | |
---|---|---|
RoHS | Совместим | Совместим |
Application Notes
- Power Solution for the IntelВ® Atomв„ў E6X5CPDF, 27 Кб, Файл опубликован: 29 июн 2011
Power Solution for the IntelВ® Atomв„ў E6x5x - Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD17313Q2 (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor