Datasheet Texas Instruments CSD17483F4 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD17483F4 |
30V, N-Channel FemtoFETв„ўMOSFET
Datasheets
CSD17483F4 30-V N-Channel FemtoFET MOSFET datasheet
PDF, 1.2 Мб, Версия: D, Файл опубликован: 8 дек 2016
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD17483F4 на РадиоЛоцман.Цены — от 2.36 до 422 ₽33 предложений от 16 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,5А; Idm: 5А; 500мВт; PICOSTAR3 | |||
| CSD17483F4T Texas Instruments | 20 ₽ | ||
| CSD17483F4T Texas Instruments | 37 ₽ | ||
| CSD17483F4 Kingtronics | по запросу | ||
| CSD17483F4T Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| CSD17483F4 | CSD17483F4T | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Да | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| CSD17483F4 | CSD17483F4T | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 3 | 3 |
| Package Type | YJC | YJC |
| Package QTY | 3000 | 250 |
| Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
| Маркировка | DP | DP |
| Width (мм) | .635 | .635 |
| Length (мм) | 1.035 | 1.035 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | CSD17483F4 | CSD17483F4T |
|---|---|---|
| Configuration | Single | Single |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 5 | 5 |
| Корпус, мм | LGA 1.0 x 0.6mm | LGA 1.0 x 0.6mm |
| QG Typ, nC | 1.01 | 1.01 |
| QGD Typ, nC | 0.13 | 0.13 |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 200 | 200 |
| Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 230 | 230 |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 260 | 260 |
| VDS, В | 30 | 30 |
| VGS, В | 12 | 12 |
| VGSTH Typ, В | 0.85 | 0.85 |
Экологический статус
| CSD17483F4 | CSD17483F4T | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD17483F4 (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor
