Datasheet Texas Instruments CSD17556Q5B — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD17556Q5B |

N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET 30 В
Datasheets
CSD17556Q5B 30-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 871 Кб, Версия: C, Файл опубликован: 17 янв 2017
Выписка из документа
Цены
![]() 32 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 100 А, 0.0012 Ом, VSON, Surface Mount | |||
CSD17556Q5B Texas Instruments | 88 ₽ | ||
CSD17556Q5B Texas Instruments | от 214 ₽ | ||
CSD17556Q5B Texas Instruments | по запросу | ||
CSD17556Q5B Texas Instruments | по запросу |
Статус
CSD17556Q5B | CSD17556Q5BT | |
---|---|---|
Статус продукта | В производстве | В производстве |
Доступность образцов у производителя | Да | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
CSD17556Q5B | CSD17556Q5BT | |
---|---|---|
N | 1 | 2 |
Pin | 8 | 8 |
Package Type | DNK | DNK |
Package QTY | 2500 | 250 |
Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
Маркировка | CSD17556 | CSD17556 |
Width (мм) | 6 | 6 |
Length (мм) | 5 | 5 |
Thickness (мм) | .95 | .95 |
Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
Parameters / Models | CSD17556Q5B![]() | CSD17556Q5BT![]() |
---|---|---|
Configuration | Single | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 215 | 215 |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 400 | 400 |
Корпус, мм | SON5x6 | SON5x6 |
QG Typ, nC | 28.5 | 28.5 |
QGD Typ, nC | 6.9 | 6.9 |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 1.5 | 1.5 |
Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 1.4 | 1.4 |
Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 1.8 | 1.8 |
VDS, В | 30 | 30 |
VGS, В | 20 | 20 |
VGSTH Typ, В | 1.4 | 1.4 |
Экологический статус
CSD17556Q5B | CSD17556Q5BT | |
---|---|---|
RoHS | Совместим | Совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD17556Q5B (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor