Datasheet Texas Instruments CSD17570Q5B — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD17570Q5B |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET, 30 В, CSD17570Q5B
Datasheets
CSD17570Q5B 30 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 675 Кб, Версия: D, Файл опубликован: 18 май 2017
Выписка из документа
Цены
Купить CSD17570Q5B на РадиоЛоцман.Цены — от 208 до 1 093 ₽ 17 предложений от 10 поставщиков MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON | |||
CSD17570Q5B Texas Instruments | 208 ₽ | ||
CSD17570Q5B Texas Instruments | 214 ₽ | ||
CSD17570Q5B Texas Instruments | от 232 ₽ | ||
CSD17570Q5B Texas Instruments | от 1 093 ₽ |
Статус
CSD17570Q5B | CSD17570Q5BT | |
---|---|---|
Статус продукта | В производстве | В производстве |
Доступность образцов у производителя | Нет | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
CSD17570Q5B | CSD17570Q5BT | |
---|---|---|
N | 1 | 2 |
Pin | 8 | 8 |
Package Type | DNK | DNK |
Package QTY | 2500 | 250 |
Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
Маркировка | CSD17570 | CSD17570 |
Width (мм) | 6 | 6 |
Length (мм) | 5 | 5 |
Thickness (мм) | .95 | .95 |
Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
Parameters / Models | CSD17570Q5B | CSD17570Q5BT |
---|---|---|
Configuration | Single | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 407 | 407 |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 400 | 400 |
Корпус, мм | SON5x6 | SON5x6 |
QG Typ, nC | 93 | 93 |
QGD Typ, nC | 34 | 34 |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 0.74 | 0.74 |
Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 0.69 | 0.69 |
Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 0.92 | 0.92 |
VDS, В | 30 | 30 |
VGS, В | 20 | 20 |
VGSTH Typ, В | 1.5 | 1.5 |
Экологический статус
CSD17570Q5B | CSD17570Q5BT | |
---|---|---|
RoHS | Совместим | Совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD17570Q5B (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor