Datasheet Texas Instruments CSD17575Q3 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD17575Q3 |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™, 30 В
Datasheets
CSD17575Q3 30-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 444 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 25 июл 2014
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD17575Q3 на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 668 ₽30 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 60А; 108Вт; VSON-CLIP8 | |||
| CSD17575Q3 Texas Instruments | от 12 ₽ | ||
| CSD17575Q3 Texas Instruments | 35 ₽ | ||
| CSD17575Q3 Texas Instruments | от 37 ₽ | ||
| CSD17575Q3 Texas Instruments | 63 ₽ | ||
Статус
| CSD17575Q3 | CSD17575Q3T | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Нет | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| CSD17575Q3 | CSD17575Q3T | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 8 | 8 |
| Package Type | DQG | DQG |
| Package QTY | 2500 | 250 |
| Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD17575 | CSD17575 |
| Width (мм) | 3.3 | 3.3 |
| Length (мм) | 3.3 | 3.3 |
| Thickness (мм) | 1 | 1 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | CSD17575Q3 | CSD17575Q3T |
|---|---|---|
| Configuration | Single | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 182 | 182 |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 240 | 240 |
| Корпус, мм | SON3x3 | SON3x3 |
| QG Typ, nC | 23 | 23 |
| QGD Typ, nC | 5.4 | 5.4 |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 2.6 | 2.6 |
| Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 2.3 | 2.3 |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 3.2 | 3.2 |
| VDS, В | 30 | 30 |
| VGS, В | 20 | 20 |
| VGSTH Typ, В | 1.4 | 1.4 |
Экологический статус
| CSD17575Q3 | CSD17575Q3T | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD17575Q3 (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor
