Datasheet Texas Instruments CSD17579Q3A — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD17579Q3A |
CSD17579Q3A 30 V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET
Datasheets
CSD17579Q3A 30 V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFETs datasheet
PDF, 689 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 14 янв 2016
Выписка из документа
 Купить CSD17579Q3A на РадиоЛоцман.Цены — от 5.67 до 125 ₽29 предложений от 13 поставщиков MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON. N-Channel 30V 20A (Ta) 3.2W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.15). Transistors - FETs, MOSFETs... | |||
| CSD17579Q3A Texas Instruments | 9.87 ₽ | ||
| CSD17579Q3A Texas Instruments | 125 ₽ | ||
| CSD17579Q3A Texas Instruments | по запросу | ||
| CSD17579Q3A Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| CSD17579Q3A | CSD17579Q3AT | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Нет | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| CSD17579Q3A | CSD17579Q3AT | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 8 | 8 |
| Package Type | DNH | DNH |
| Package QTY | 2500 | 250 |
| Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
| Маркировка | 17579 | 17579 |
| Width (мм) | 3.3 | 3.3 |
| Length (мм) | 3.3 | 3.3 |
| Thickness (мм) | .8 | .8 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | CSD17579Q3A | CSD17579Q3AT |
|---|---|---|
| Configuration | Single | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 39 | 39 |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 106 | 106 |
| Корпус, мм | SON3x3 | SON3x3 |
| QG Typ, nC | 5.3 | 5.3 |
| QGD Typ, nC | 1.2 | 1.2 |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 11.8 | 11.8 |
| Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 10.2 | 10.2 |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 14.2 | 14.2 |
| VDS, В | 30 | 30 |
| VGS, В | 20 | 20 |
| VGSTH Typ, В | 1.5 | 1.5 |
Экологический статус
| CSD17579Q3A | CSD17579Q3AT | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
Модельный ряд
Серия: CSD17579Q3A (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor
