Datasheet Texas Instruments CSD17579Q5A — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD17579Q5A |

CSD17579Q5A 30-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET
Datasheets
CSD17579Q5A 30 V N-Channel NexFET Power MOSFETs datasheet
PDF, 345 Кб, Файл опубликован: 4 мар 2015
Выписка из документа
Цены
![]() 24 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, VSONP N-CH 30V 14A | |||
CSD17579Q5A Texas Instruments | 21 ₽ | ||
CSD17579Q5A Texas Instruments | от 21 ₽ | ||
CSD17579Q5A Texas Instruments | 42 ₽ | ||
CSD17579Q5A Texas Instruments | 58 ₽ |
Статус
CSD17579Q5A | CSD17579Q5AT | |
---|---|---|
Статус продукта | В производстве | В производстве |
Доступность образцов у производителя | Да | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
CSD17579Q5A | CSD17579Q5AT | |
---|---|---|
N | 1 | 2 |
Pin | 8 | 8 |
Package Type | DQJ | DQJ |
Package QTY | 2500 | 250 |
Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
Маркировка | CSD17579 | CSD17579 |
Width (мм) | 6 | 6 |
Length (мм) | 4.9 | 4.9 |
Thickness (мм) | 1 | 1 |
Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
Parameters / Models | CSD17579Q5A![]() | CSD17579Q5AT![]() |
---|---|---|
Configuration | Single | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 46 | 46 |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 105 | 105 |
Корпус, мм | SON5x6 | SON5x6 |
QG Typ, nC | 5.4 | 5.4 |
QGD Typ, nC | 1.2 | 1.2 |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 11.6 | 11.6 |
Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 9.7 | 9.7 |
Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 13.3 | 13.3 |
VDS, В | 30 | 30 |
VGS, В | 20 | 20 |
VGSTH Typ, В | 1.5 | 1.5 |
Экологический статус
CSD17579Q5A | CSD17579Q5AT | |
---|---|---|
RoHS | Совместим | Совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD17579Q5A (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor