Datasheet Texas Instruments CSD18510KTTT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD18510KTT |
| Модель | CSD18510KTTT |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™, 40 В 3-DDPAK/TO-263 от -55 до 175
Datasheets
CSD18510KTT 40-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 366 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 6 янв 2017
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD18510KTTT на РадиоЛоцман.Цены — от 99 до 589 ₽25 предложений от 10 поставщиков Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 200А, 250Вт, D2PAK, NexFETTM | |||
| CSD18510KTTT Texas Instruments | 99 ₽ | ||
| CSD18510KTTT Texas Instruments | 110 ₽ | ||
| CSD18510KTTT Texas Instruments | 519 ₽ | ||
| CSD18510KTTT Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 3 |
| Package Type | KTT |
| Industry STD Term | TO-263 |
| JEDEC Code | R-PSFM-G |
| Package QTY | 50 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD18510KTT |
| Width (мм) | 8.41 |
| Length (мм) | 10.18 |
| Thickness (мм) | 4.44 |
| Pitch (мм) | 2.54 |
| Max Height (мм) | 4.83 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 274 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
| Корпус | D2PAK мм |
| QG Typ | 119 nC |
| QGD Typ | 21 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 2.0 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 1.7 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 2.6 mOhms |
| VDS | 40 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 1.7 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD18510KTT (2)
- CSD18510KTT CSD18510KTTT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
