Datasheet Texas Instruments CSD18510KTT — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD18510KTT |

40V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET
Datasheets
CSD18510KTT 40-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 366 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 6 янв 2017
Выписка из документа
Цены
![]() 28 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK | |||
CSD18510KTT Texas Instruments | от 211 ₽ | ||
CSD18510KTT Texas Instruments | от 219 ₽ | ||
CSD18510KTT Texas Instruments | по запросу | ||
CSD18510KTT Texas Instruments | по запросу |
Статус
CSD18510KTT | CSD18510KTTT | |
---|---|---|
Статус продукта | В производстве | В производстве |
Доступность образцов у производителя | Да | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
CSD18510KTT | CSD18510KTTT | |
---|---|---|
N | 1 | 2 |
Pin | 3 | 3 |
Package Type | KTT | KTT |
Industry STD Term | TO-263 | TO-263 |
JEDEC Code | R-PSFM-G | R-PSFM-G |
Package QTY | 500 | 50 |
Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
Маркировка | CSD18510KTT | CSD18510KTT |
Width (мм) | 8.41 | 8.41 |
Length (мм) | 10.18 | 10.18 |
Thickness (мм) | 4.44 | 4.44 |
Pitch (мм) | 2.54 | 2.54 |
Max Height (мм) | 4.83 | 4.83 |
Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
Parameters / Models | CSD18510KTT![]() | CSD18510KTTT![]() |
---|---|---|
Configuration | Single | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 274 | 274 |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 400 | 400 |
Корпус, мм | D2PAK | D2PAK |
QG Typ, nC | 119 | 119 |
QGD Typ, nC | 21 | 21 |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 2.0 | 2.0 |
Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 1.7 | 1.7 |
Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 2.6 | 2.6 |
VDS, В | 40 | 40 |
VGS, В | 20 | 20 |
VGSTH Typ, В | 1.7 | 1.7 |
Экологический статус
CSD18510KTT | CSD18510KTTT | |
---|---|---|
RoHS | Совместим | Совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD18510KTT (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor