Datasheet Texas Instruments CSD18510Q5B — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD18510Q5B |
40V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET
Datasheets
CSD18510Q5B N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 560 Кб, Файл опубликован: 21 мар 2017
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD18510Q5B на РадиоЛоцман.Цены — от 28 до 3 711 ₽24 предложений от 12 поставщиков , Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8Pin VSON-CLIP EP | |||
| CSD18510Q5B Texas Instruments | 97 ₽ | ||
| CSD18510Q5B Texas Instruments | 134 ₽ | ||
| CSD18510Q5B Texas Instruments | 141 ₽ | ||
| CSD18510Q5B Texas Instruments | 186 ₽ | ||
Статус
| CSD18510Q5B | CSD18510Q5BT | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Да | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| CSD18510Q5B | CSD18510Q5BT | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 8 | 8 |
| Package Type | DNK | DNK |
| Package QTY | 2500 | 250 |
| Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD18510 | CSD18510 |
| Width (мм) | 6 | 6 |
| Length (мм) | 5 | 5 |
| Thickness (мм) | .95 | .95 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | CSD18510Q5B | CSD18510Q5BT |
|---|---|---|
| Configuration | Single | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 300 | 300 |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 400 | 400 |
| Корпус, мм | SON5x6 | SON5x6 |
| QG Typ, nC | 118 | 118 |
| QGD Typ, nC | 21 | 21 |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 1.2 | 1.2 |
| Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 0.96 | 0.96 |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 1.6 | 1.6 |
| VDS, В | 40 | 40 |
| VGS, В | 20 | 20 |
| VGSTH Typ, В | 1.7 | 1.7 |
Экологический статус
| CSD18510Q5B | CSD18510Q5BT | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD18510Q5B (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor
