Datasheet Texas Instruments CSD18532Q5B — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD18532Q5B |

60-V, N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET
Datasheets
CSD18532Q5B 60-V N-Channel NexFET Power MOSFETs datasheet
PDF, 904 Кб, Версия: C, Файл опубликован: 18 май 2017
Выписка из документа
Цены
![]() 25 предложений от 16 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
CSD18532Q5B Texas Instruments | 98 ₽ | ||
CSD18532Q5B Texas Instruments | 173 ₽ | ||
CSD18532Q5B Texas Instruments | 223 ₽ | ||
CSD18532Q5B Texas Instruments | по запросу |
Статус
CSD18532Q5B | CSD18532Q5BT | |
---|---|---|
Статус продукта | В производстве | В производстве |
Доступность образцов у производителя | Нет | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
CSD18532Q5B | CSD18532Q5BT | |
---|---|---|
N | 1 | 2 |
Pin | 8 | 8 |
Package Type | DNK | DNK |
Package QTY | 2500 | 250 |
Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
Маркировка | CSD18532 | CSD18532 |
Width (мм) | 6 | 6 |
Length (мм) | 5 | 5 |
Thickness (мм) | .95 | .95 |
Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
Parameters / Models | CSD18532Q5B![]() | CSD18532Q5BT![]() |
---|---|---|
Configuration | Single | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 172 | 172 |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 400 | 400 |
Корпус, мм | SON5x6 | SON5x6 |
QG Typ, nC | 44 | 44 |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 3.3 | 3.3 |
Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 3.2 | 3.2 |
Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 4.3 | 4.3 |
VDS, В | 60 | 60 |
VGS, В | 20 | 20 |
VGSTH Typ, В | 1.8 | 1.8 |
Экологический статус
CSD18532Q5B | CSD18532Q5BT | |
---|---|---|
RoHS | Совместим | Совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD18532Q5B (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor