Datasheet Texas Instruments CSD18535KTT — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD18535KTT |

60 В, N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET
Datasheets
CSD18535KTT 60 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 412 Кб, Файл опубликован: 10 мар 2016
Выписка из документа
Цены
![]() 28 предложений от 13 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK | |||
CSD18535KTT Texas Instruments | от 152 ₽ | ||
CSD18535KTT Texas Instruments | от 314 ₽ | ||
CSD18535KTT Texas Instruments | 352 ₽ | ||
CSD18535KTT Texas Instruments | 371 ₽ |
Статус
CSD18535KTT | CSD18535KTTT | |
---|---|---|
Статус продукта | В производстве | В производстве |
Доступность образцов у производителя | Нет | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
CSD18535KTT | CSD18535KTTT | |
---|---|---|
N | 1 | 2 |
Pin | 3 | 3 |
Package Type | KTT | KTT |
Industry STD Term | TO-263 | TO-263 |
JEDEC Code | R-PSFM-G | R-PSFM-G |
Package QTY | 500 | 50 |
Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
Маркировка | CSD18535KTT | CSD18535KTT |
Width (мм) | 8.41 | 8.41 |
Length (мм) | 10.18 | 10.18 |
Thickness (мм) | 4.44 | 4.44 |
Pitch (мм) | 2.54 | 2.54 |
Max Height (мм) | 4.83 | 4.83 |
Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
Parameters / Models | CSD18535KTT![]() | CSD18535KTTT![]() |
---|---|---|
Configuration | Single | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 279 | 279 |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 400 | 400 |
Корпус, мм | D2PAK | D2PAK |
QG Typ, nC | 63 | 63 |
QGD Typ, nC | 10.4 | 10.4 |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 2.3 | 2.3 |
Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 2.0 | 2.0 |
Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 2.9 | 2.9 |
VDS, В | 60 | 60 |
VGS, В | 20 | 20 |
VGSTH Typ, В | 1.9 | 1.9 |
Экологический статус
CSD18535KTT | CSD18535KTTT | |
---|---|---|
RoHS | Совместим | Совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD18535KTT (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor